itthon > Termékek > Ötvözet Sputtering Target > Ötvözet Planar Target > Volfrám titán sík ötvözet porlasztó célpont
Volfrám titán sík ötvözet porlasztó célpont
  • Volfrám titán sík ötvözet porlasztó célpontVolfrám titán sík ötvözet porlasztó célpont
  • Volfrám titán sík ötvözet porlasztó célpontVolfrám titán sík ötvözet porlasztó célpont

Volfrám titán sík ötvözet porlasztó célpont

A volfrám titán sík ötvözet porlasztásos célpontja alacsony elektronmobilitású, stabil termikus mechanikai tulajdonságokkal, jó korrózióállósággal és jó kémiai stabilitással rendelkezik. Az elmúlt években a wolfram-titán ötvözetből készült porlasztó céltárgyakat érintkezőréteg anyagaként használták félvezető chipek kapuáramköreihez. Ezenkívül a wolfram-titánötvözetből készült porlasztó céltárgy zárórétegként is használható félvezető eszközök fémcsatlakozásánál. Magas hőmérsékletű környezetben használják, főleg vlsi és napelemekhez.

Kérdés küldése

termékleírás

A Tungsten Titanium Planar Alloy Sputtering Target ötvözet az átmenetifém volfrám és titán előnyeivel. Nagy sűrűségű és tisztaságú, jó korrózióállósággal és kis térfogatú tágulási hatással rendelkezik, és hatékonyan csökkentheti a részecskék képződését a gyártási folyamat során, azaz sikeresen tud kiváló minőségű filmeket készíteni.

A wolfram-titán ötvözet porlasztásos célpont előkészítési folyamata: a nagy tisztaságú wolframpor és tálpor keverékét hideg izosztatikus nyomással préselik vissza, hogy visszajuttassa az anyagot, amelyet vákuumszinterező kemencébe helyeznek tömörítés és szinterezés céljából. A szinterezett wolfram tál anyagát kihűtik a kemencéből, majd megolvasztják egy nem fogyasztású vákuumívkemencében, így nagy tisztaságú és nagy sűrűségű anyagokat készítenek.

A wolfram-titán ötvözet porlasztási céljának általánosan használt aránya a WTi 90/10 tömeg% és a WTi 85/15 tömeg%. A specifikáció és a tisztaság testreszabható


Termékparaméter (specifikáció)

Fogalmazás 90 tömeg% + 10 tömeg% Ti
Tisztaság ¥99,95%
Sűrűség ï¼g/cm³ï¼ ï¼17.3
Elektromos ellenállás
(Ω.cm)
Elméleti sűrűség (g/cm3) 17.869
Fémszennyeződés
(ppm)
Összesen <500
Méret (mm) Négyzet alakú lemez: (50-350)H × (50-200)Sz × (4-20)H
Kör alakú lemez: 0(5O-35O)×(4-2O)H


A termék jellemzői és alkalmazása

A volfrám-titán sík ötvözet porlasztásos célpontját széles körben használják félvezetőkben és vékonyfilmes napelemekben. Félvezető alkalmazásokhoz a WTi 10 tömeg%-os fóliát diffúziót gátló rétegként és ragasztórétegként használják a fémezett rétegnek a félvezetőtől való elválasztására, például az alumíniumot a szilíciumtól vagy a rezet a szilíciumtól. Ezért a félvezetők funkciója a mikrochipekben jelentősen javítható. Sárga filmes napelemeknél a WTi10 tömegszázalékos sárga fóliát anódgátként is használják, hogy megakadályozzák a vasatomok diffúzióját az acél hordozóban a hátsó érintkezőhöz és a CIGS félvezetőkhöz. A volfrám-titán ötvözetből készült porlasztó célpontot LED-ek és szerszámok bevonására is használják.


termék leírás

Tungsten Titanium Planar ötvözet porlasztásos célpontunk egyértelműen fel van címkézve és kívülről címkézve biztosítja a hatékony azonosítást és minőség-ellenőrzést. Nagy gondot fordítunk arra, hogy elkerüljük a tárolás vagy szállítás során esetlegesen bekövetkező károkat.


Hot Tags: Volfrám-titán sík ötvözet porlasztásos célpont, Kína, gyártók, beszállítók, gyár, Kínában gyártott, testreszabott

Kapcsolódó kategória

Kérdés küldése

Kérdését az alábbi űrlapon adja meg. 24 órán belül válaszolunk.